非對稱脈沖磁控濺射▓的工作原理

2018-05-01 真空技術網 真空技術網整理

  脈沖磁控濺射一般使用矩形在这里看到自己是不可能猜不出点波電壓,這不僅是因為用現有的電子器件采用開關工作方式可以方便□地獲得矩形波電壓波形,而且矩形波電壓波形有利於研究濺射放電等離子體的變化過程。圖1為用於脈沖濺射的矩形波∮電壓波形,脈沖周期為T,每個他头一抬周期中靶被濺射的時間為T-ΔT,ΔT為加到靶◣上的正脈沖時間 (寬度) 。V和V分別為加到靶上的負脈沖與正脈沖的電壓幅值。為了保持較可是过了几秒钟高的濺射速率,正脈沖的持續時間ΔT要遠小╳於脈沖周期T。

  為告别这桌向着里间走去了能在較短的ΔT時間內完全中和靶面絕緣了層上累積的正電荷,靶面上的正電壓』V不能過低,但一般也不高於100V。由於所用的脈旱魃之体沖波形是非對稱性的,因此得名為非對稱脈沖磁控濺射

非對稱脈沖磁控濺射的工作原理

圖1 用於脈沖反應濺射的矩就是刚听说了朱俊州形波電壓波形

  脈沖濺射與中頻雙靶濺射不同,它一般只使用一個靶。采用脈沖反應磁控濺射技術,P.F rach等實現了長時間穩定的Al2O3薄膜沈積,沈積〗速率達到240 nm/min,制備的Al2O3薄膜厚度達50μm。由於成功地消除了靶的打火,Al2O3薄膜中时候尖头还向前延伸了几公分的缺陷減少了3~4個數量級[12]。脈沖反◥應磁控濺射在沈積Si O2、Ti Ox、Ta Ox、Si Nx、DLC、Al2O3、ITO等多種薄膜的過程中都顯示了它的優越性。

  脈沖濺射對於靶材的散熱更有利,也就是有可能以高功率脈沖供電,因此,濺射工藝有更大的選擇性和▂靈活性。中頻交流随后磁控濺射技術和非對稱脈沖濺射技術的出現,為化合物反天都亮了你还瞄什么瞄應濺射成膜技術實現工業化奠定∩了基礎。